| 型号：FDR8702H | 类别：FET - 阵列 | 制造商：Fairchild Semiconductor |
| 封装：8-SSOT，SuperSOT-8 | 描述：MOSFET N/P-CH 20V SSOT-8 | |
详细参数
| 类别 | FET - 阵列 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V SSOT-8 |
| 系列 | PowerTrench® |
| 制造商 | Fairchild Semiconductor |
| FET型 | N 和 P 沟道 |
| FET特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 3.6A，2.6A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 38 毫欧 @ 3.6A，4.5V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 10nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 650pF @ 10V |
| 功率_最大 | 800mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SSOT，SuperSOT-8 |
| 供应商设备封装 | 8-SSOT |
| 包装 | 带卷 (TR) |
供应商
| 深圳市海虹微电子有限公司 | 赵小姐086-0755-83291010 83678410 |
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